高真空雙靶磁控濺射鍍膜儀是一種集高真空技術與磁控濺射技術于一體的薄膜制備設備，廣泛應用于半導體、光學、微電子、新能源材料及科研教學等領域。該設備通過在高真空環境中利用氬離子轟擊靶材，使靶材原子濺射并沉積在基片上形成高質量薄膜，具備成膜純度高、致密性強、附著力好等優點。
高真空雙靶磁控濺射鍍膜儀主要由以下系統組成：
真空腔體：通常采用不銹鋼材質，內尺寸常見為直徑210mm×高270mm，確保良好的密封性和耐腐蝕性。
雙靶磁控濺射系統：配置兩個獨立靶位(直流/射頻可選)，可安裝不同材料的靶材，在不破真空條件下實現多層膜或合金膜的連續沉積。
抽真空系統：由機械泵和分子泵組成，極限真空可達5×10??Pa量級，部分型號可達9.9×10??Pa，提供潔凈穩定的鍍膜環境。
樣品臺：支持200mm直徑樣品旋轉，配備水冷或加熱功能，提升膜層均勻性與結合力。
電源系統：標配3kW直流電源，可選配射頻電源，適應金屬、氧化物、陶瓷等多種靶材的濺射需求。
其工作原理基于E×B漂移效應：在正交電磁場作用下，電子被束縛在靶材表面附近做擺線運動，延長與氣體分子的碰撞時間，提高等離子體密度和濺射效率，同時降低基片溫升，適用于熱敏感材料鍍膜。
應用領域
微電子 / 半導體：沉積金屬電極(Al、Cu)、擴散阻擋層(TaN)、柵介質；
光學薄膜：增透膜、反射鏡、濾光片；
表面工程：刀具 / 模具的 TiN、CrN 耐磨涂層；
功能材料研發：超導、鐵電、磁電阻、透明導電膜(ITO)；
傳感器與新能源：電池極片涂層、氣敏薄膜、生物兼容薄膜。
更新時間：2026-03-10
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電鏡樣品制備
